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产品信息
*供应BZV55C10,TSC,稳压管,瞬态抑制二*管
*供应BZV55C10,TSC,稳压管,瞬态抑制二*管
半导体。
供应BZV55C10,TSC,稳压管,瞬态抑制二*管
互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）：
计算机*语。大型集成电路中的重要问题是叠加到电源上的因触发器等开关元件的开关过程和输出级过负荷引起的噪音。这些元件造成电流峰值而使电压波动较大。在带标准元件或带*的电路块的CMOS电路中，通过在走线通道中呈额外的阱的形式的附加去耦电容较*地解决上述问题。紧靠开关元件设置去耦电容对抑制电源噪音有利。因为走线通道并不供电路元件使用，所以芯片的表面积不致因该额外电容而增加半导体。
互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）：
计算机*语。大型集成电路中的重要问题是叠加到电源上的因触发器等开关元件的开关过程和输出级过负荷引起的噪音。这些元件造成电流峰值而使电压波动较大。在带标准元件或带*的电路块的CMOS电路中，通过在走线通道中呈额外的阱的形式的附加去耦电容较*地解决上述问题。紧靠开关元件设置去耦电容对抑制电源噪音有利。因为走线通道并不供电路元件使用，所以芯片的表面积不致因该额外电容而增加